Sayfayı Yazdır
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRF2804S-7PPBF
Sipariş Kodu1551911
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id320A
Drain Source On State Resistance0.0016ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation330W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Ürün Genel Bakış
The IRF2804S-7PPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Uygulamalar
Power Management
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
320A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
Teknik Belgeler (3)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Mexico
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Mexico
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00143