Sayfayı Yazdır
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPW60R041P6FKSA1
Sipariş Kodu2709899
Ürün ÇeşitleriCoolMOS P6
Diğer AdıylaIPW60R041P6, SP001091630
Teknik Bilgi Formu
Sipariş Verilebilir
Üretici Standart Teslim Süresi: 17 hafta
Yeniden stokta olduğunda beni bilgilendir
Miktar | |
---|---|
1+ | 9,760 € |
5+ | 9,060 € |
10+ | 8,360 € |
50+ | 5,480 € |
100+ | 5,280 € |
250+ | 5,270 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
9,76 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPW60R041P6FKSA1
Sipariş Kodu2709899
Ürün ÇeşitleriCoolMOS P6
Diğer AdıylaIPW60R041P6, SP001091630
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id77.5A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation481W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
600V CoolMOS™ P6 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Halogen free moulded compound
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
77.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
481W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P6
MSL
-
Teknik Belgeler (2)
IPW60R041P6FKSA1 için alternatifler
1 Ürün Bulundu
İlgili Ürünler
3 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00542
Ürün izlenebilirliği