Sayfayı Yazdır
IPD60R3K3C6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPD60R3K3C6ATMA1
Sipariş Kodu2726052
Ürün ÇeşitleriCoolMOS C6
Diğer AdıylaIPD60R3K3C6, SP001117718
Teknik Bilgi Formu
4.441 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 5+ | 0,696 € |
| 50+ | 0,480 € |
| 100+ | 0,360 € |
| 500+ | 0,302 € |
| 1000+ | 0,260 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Birden fazla: 5
3,48 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPD60R3K3C6ATMA1
Sipariş Kodu2726052
Ürün ÇeşitleriCoolMOS C6
Diğer AdıylaIPD60R3K3C6, SP001117718
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance2.97ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation18.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
- 600V, 1.7A CoolMOS™ C6 power transistor in 3 pin TO-252 package
- Extremely low losses due to very low FOM (RDS(on)* Qi and Eoss)
- Easy control of switching behaviour improves power density
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use, better light load efficiency
- Better light load efficiency compared to C3
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Better price performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- Reduces possible ringing due to PCB layout and package parasitic effects
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
18.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
2.97ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (1)
IPD60R3K3C6ATMA1 için alternatifler
2 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00068
Ürün izlenebilirliği