Sayfayı Yazdır
IPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPD053N08N3GATMA1
Sipariş Kodu1775574
Ürün ÇeşitleriOptiMOS 3 Series
Diğer AdıylaIPD053N08N3 G, SP001127818
Teknik Bilgi Formu
16.670 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 1,560 € |
| 10+ | 1,260 € |
| 100+ | 1,050 € |
| 500+ | 0,979 € |
| 1000+ | 0,956 € |
| 5000+ | 0,932 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
1,56 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPD053N08N3GATMA1
Sipariş Kodu1775574
Ürün ÇeşitleriOptiMOS 3 Series
Diğer AdıylaIPD053N08N3 G, SP001127818
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
The IPD053N08N3 G is a N-channel OptiMOS™ 3 Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM) and superior thermal resistance. Optimized technology for DC/DC converters. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Uygulamalar
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (1)
IPD053N08N3GATMA1 için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00042
Ürün izlenebilirliği