Sayfayı Yazdır
IPB60R125CPATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPB60R125CPATMA1
Sipariş Kodu1664016
Ürün ÇeşitleriCoolMOS Series
Diğer AdıylaIPB60R125CP, SP000297368
Teknik Bilgi Formu
3.629 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 2,430 € |
| 10+ | 2,370 € |
| 100+ | 2,300 € |
| 500+ | 2,240 € |
| 1000+ | 2,200 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
2,43 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IPB60R125CPATMA1
Sipariş Kodu1664016
Ürün ÇeşitleriCoolMOS Series
Diğer AdıylaIPB60R125CP, SP000297368
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
IPB60R125CPATMA1 is a IPB60R125CP CoolMOS™ power transistor this CoolMOS™ CP is specially designed for hard switching topologies for server and telecom.
- Lowest figure-of-merit RONxQg
- Ultra-low gate charge
- Extreme dv/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 25A continuous drain current at TC = 25°C
- 82A pulsed drain current at TC = 25°C
- 208W power dissipation at TC = 25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Gate threshold voltage(V GS(th) ) of 3.5V
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (3)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00143
Ürün izlenebilirliği