Sayfayı Yazdır
IMBG40R015M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IMBG40R015M2HXTMA1
Sipariş Kodu4538819
Ürün ÇeşitleriCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Diğer AdıylaIMBG40R015M2H, SP006064660
Teknik Bilgi Formu
965 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 11,270 € |
| 5+ | 10,470 € |
| 10+ | 9,670 € |
| 50+ | 9,660 € |
| 100+ | 8,240 € |
| 250+ | 8,080 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Birden fazla: 1
11,27 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IMBG40R015M2HXTMA1
Sipariş Kodu4538819
Ürün ÇeşitleriCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Diğer AdıylaIMBG40R015M2H, SP006064660
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0191ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation341W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
IMBG40R015M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 15mohm RDS(on), 111A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source On State Resistance
0.0191ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
341W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000001
Ürün izlenebilirliği