Sayfayı Yazdır
IGLT65R045D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IGLT65R045D2ATMA1
Sipariş Kodu4573848RL
Diğer AdıylaIGLT65R045D2, SP005918712
Teknik Bilgi Formu
1.300 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 10+ | 8,700 € |
| 50+ | 7,860 € |
| 100+ | 6,970 € |
| 250+ | 6,760 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Birden fazla: 1
92,00 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IGLT65R045D2ATMA1
Sipariş Kodu4573848RL
Diğer AdıylaIGLT65R045D2, SP005918712
Teknik Bilgi Formu
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Typical Gate Charge6nC
No. of Pins16Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Özellikler
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
38A
Typical Gate Charge
6nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000001
Ürün izlenebilirliği