Sayfayı Yazdır
IGB110S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IGB110S10S1XTMA1
Sipariş Kodu4680814RL
Diğer AdıylaIGB110S10S1, SP005751575
Teknik Bilgi Formu
4.950 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 100+ | 0,986 € |
| 500+ | 0,827 € |
| 1000+ | 0,705 € |
| 5000+ | 0,645 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 150
Birden fazla: 1
147,90 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IGB110S10S1XTMA1
Sipariş Kodu4680814RL
Diğer AdıylaIGB110S10S1, SP005751575
Teknik Bilgi Formu
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Typical Gate Charge3.4nC
No. of Pins4Pins
Teknik Özellikler
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
23A
Typical Gate Charge
3.4nC
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00001