Sayfayı Yazdır
IDM10G120C5XTMA1
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 5G 1200V, Single, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IDM10G120C5XTMA1
Sipariş Kodu2780807
Ürün ÇeşitlerithinQ 5G 1200V
Diğer AdıylaIDM10G120C5, SP001127116
Teknik Bilgi Formu
3.186 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 4,620 € |
| 10+ | 3,070 € |
| 100+ | 2,190 € |
| 500+ | 1,810 € |
| 1000+ | 1,730 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Birden fazla: 1
4,62 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IDM10G120C5XTMA1
Sipariş Kodu2780807
Ürün ÇeşitlerithinQ 5G 1200V
Diğer AdıylaIDM10G120C5, SP001127116
Teknik Bilgi Formu
Product RangethinQ 5G 1200V
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current38A
Total Capacitive Charge41nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
5th Generation thinQ!™ 1200V SiC Schottky diode suitable for use in solar inverters, uninterruptable power supplies, motor drives and power factor correction. Benefits of using Schottky diode are System efficiency improvement over Si diodes, system cost / size savings due to reduced cooling requirements, enabling higher frequency / increased power density solutions, higher system reliability due to lower operating temperatures and reduced EMI.
- Revolutionary semiconductor material - silicon carbide
- No reverse recovery current / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- Low forward voltage even at high operating temperature
- Tight forward voltage distribution
- Excellent thermal performance
- Extended surge current capability
- Specified dv/dt ruggedness
- Qualified according to JEDEC for target applications
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Product Range
thinQ 5G 1200V
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
41nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
38A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000426
Ürün izlenebilirliği