Sayfayı Yazdır
FF6MR12W2M1B70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.FF6MR12W2M1B70BPSA1
Sipariş Kodu3755140
Ürün ÇeşitleriCoolSiC Trench
Diğer AdıylaSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Teknik Bilgi Formu
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.FF6MR12W2M1B70BPSA1
Sipariş Kodu3755140
Ürün ÇeşitleriCoolSiC Trench
Diğer AdıylaSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00563ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins38Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.00563ohm
No. of Pins
38Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
CoolSiC Trench
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00542