Sayfayı Yazdır
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Sipariş Kodu4125830
Ürün ÇeşitleriEasyPACK CoolsiC Series
Diğer AdıylaSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
Teknik Bilgi Formu
8 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 244,180 € |
| 5+ | 239,300 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
244,18 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Sipariş Kodu4125830
Ürün ÇeşitleriEasyPACK CoolsiC Series
Diğer AdıylaSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0172ohm
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK CoolsiC Series
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0172ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Bildirilecek
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi