Sayfayı Yazdır
BF998E6327HTSA1
RF FET Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.BF998E6327HTSA1
Sipariş Kodu2480770RL
Diğer AdıylaBF 998 E6327, SP000010978
Teknik Bilgi Formu
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.BF998E6327HTSA1
Sipariş Kodu2480770RL
Diğer AdıylaBF 998 E6327, SP000010978
Teknik Bilgi Formu
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-252
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Ürün Genel Bakış
The BF 998 E6327 is a silicon N-channel MOSFET Triode for low-noise and gain-controlled input stage up to 1GHz.
- Short-channel transistor with high S/C quality factor
- Qualified according AEC-Q101
Uygulamalar
Power Management, Audio, Communications & Networking
Notlar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Drain Source Voltage Vds
12V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-252
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000635