Sayfayı Yazdır
289 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 21,500 € |
| 5+ | 20,630 € |
| 10+ | 19,750 € |
| 50+ | 19,440 € |
| 100+ | 19,130 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
21,50 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiGENESIC
Üretici Parça No.G3R30MT12K
Sipariş Kodu3598641
Ürün ÇeşitleriG3R
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
Power Dissipation281W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Ürün Genel Bakış
G3R30MT12K is a 1200V, 30mohm, N-channel enhancement mode, silicon carbide MOSFET. Applications include solar inverters, motor drives, EV charging, high voltage DC-DC converters, switched mode power supplies, UPS, smart grid transmission and distribution, induction heating and welding.
- G3R™ (3rd generation) technology, low temperature coefficient of RDS(ON)
- Lower Q and smaller RG(INT), low device capacitances (COSS, CRSS)
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR, 100% avalanche (UIL) tested
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Reduced ringing, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C, TO-247-4 package
- Continuous forward current is 50A at Tc = 100°C, V = -5 / +15V
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.69V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
281W
Product Range
G3R
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.001393