Sayfayı Yazdır
IRFD9110PBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
1.130 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
Stoklar tükenene kadar mevcut
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 1,360 € |
| 10+ | 1,100 € |
| 100+ | 0,952 € |
| 500+ | 0,807 € |
| 1000+ | 0,686 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
1,36 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.IRFD9110PBF
Sipariş Kodu9103236
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id700mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleDIP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Ürün Genel Bakış
The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 175°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
- For automatic insertion
- End stackable
Uygulamalar
Power Management
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
700mA
Transistor Case Style
DIP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Teknik Belgeler (3)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000551