Sayfayı Yazdır
3N163-E3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 mA, 180 ohm, TO-206AF, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.3N163-E3
Sipariş Kodu2295739
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50mA
Drain Source On State Resistance180ohm
Transistor Case StyleTO-206AF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation375mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
Ürün Genel Bakış
The 3N163-E3 is a -40V P-channel Enhancement Mode MOSFET designed for analogue switch and pre-amplifier applications where high speed and low parasitic capacitances are required.
- Ultra low input leakage
- 125V High gate breakdown voltage
- High off isolation without power
- Minimize handling ESD problems
Uygulamalar
Power Management, Signal Processing, Safety
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50mA
Transistor Case Style
TO-206AF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
375mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
180ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.0004