Sayfayı Yazdır
IRFS3107PBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRFS3107PBF
Sipariş Kodu1688586
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id230A
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation370W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Ürün Genel Bakış
The IRFS3107PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Uygulamalar
Power Management, Industrial
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
230A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
370W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000907
Ürün izlenebilirliği