Sayfayı Yazdır
BSM400C12P3G202
Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
9 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
Stoklar tükenene kadar mevcut
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 736,920 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
736,92 € (KDV Hariç)
Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiROHM
Üretici Parça No.BSM400C12P3G202
Sipariş Kodu3573227
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation1.57kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Ürün Genel Bakış
BSM400C12P3G202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1200V drain source voltage (Tj= 25°C), 1200V repetitive reverse voltage (Tj = 25°C)
- G - S voltage range from -4 to 26V (surge<lt/>300nsec, D-S short)
- Drain current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Source current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Forward current (clamp diode) is 400A (DC(Tc = 60°C)
- Total power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
- Isolation voltage is 2500Vrms (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1, min)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Chopper
Continuous Drain Current Id
400A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.57kW
Product Range
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Japan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Japan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.28