Low

VISHAY  SIHP30N60E-GE3.  MOSFET, N CHANNEL, 600V, 29A, TO-220AB-3

VISHAY SIHP30N60E-GE3.
Technical Data Sheet (157.93KB) EN Tüm Teknik Belgeleri Görüntüleyin

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.

Ürün Bilgileri

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
29A
Drain Source Voltage Vds:
600V
On Resistance Rds(on):
0.104ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2V
Power Dissipation Pd:
250W
Transistor Case Style:
TO-220AB
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Ortak özelliklere göre gruplandırılmış benzer ürünleri bulun 

Mevzuat ve Çevre

Nem Duyarlılığı Düzeyi
MSL 1 - Unlimited
Menşe Ülke:
China

En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke

Ürün İzlenebilirliği
RoHS Uyumlu:
Evet
Fiyat Listesi No:
85412900
Ağırlık (kg):
.000454

Benzer Ürünler

İşlevsel olarak bu ürüne benzeyen ürünleri bulun. Aşağıdaki bağlantılardan birini seçtiğinizde, bu kategorideki belirli bir özelliği paylaşan tüm ürünleri gösteren bir ürün grubu sayfasına yönlendirilirsiniz.