Low

VISHAY  SIHP22N60E-GE3  Power MOSFET, N Channel, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY SIHP22N60E-GE3
Technical Data Sheet (166.28KB) EN Tüm Teknik Belgeleri Görüntüleyin

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.

Ürün Genel Bakış

The SIHP22N60E-GE3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
  • Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
  • Low input capacitance (CISS)
  • Reduced switching and conduction losses
  • Ultra low gate charge
  • Avalanche energy rated
  • Halogen-free

Ürün Bilgileri

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
21A
Drain Source Voltage Vds:
600V
On Resistance Rds(on):
0.15ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2V
Power Dissipation Pd:
227W
Transistor Case Style:
TO-220AB
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Ortak özelliklere göre gruplandırılmış benzer ürünleri bulun 

Uygulamalar

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Communications & Networking;
  • Lighting;
  • Portable Devices;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Alternative Energy;
  • Motor Drive & Control

Mevzuat ve Çevre

Nem Duyarlılığı Düzeyi
MSL 1 - Unlimited
Menşe Ülke:
China

En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke

RoHS Uyumlu:
Evet
Fiyat Listesi No:
85412900
Ağırlık (kg):
.002873

Alternatifler

Benzer Ürünler

İşlevsel olarak bu ürüne benzeyen ürünleri bulun. Aşağıdaki bağlantılardan birini seçtiğinizde, bu kategorideki belirli bir özelliği paylaşan tüm ürünleri gösteren bir ürün grubu sayfasına yönlendirilirsiniz.