Low

VISHAY  SI5410DU-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 40 V, 0.015 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY SI5410DU-T1-GE3
VISHAY SI5410DU-T1-GE3
Technical Data Sheet (136.40KB) EN Tüm Teknik Belgeleri Görüntüleyin

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.

VISHAY SI5410DU-T1-GE3
VISHAY SI5410DU-T1-GE3

Ürün Bilgileri

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
12A
Drain Source Voltage Vds:
40V
On Resistance Rds(on):
0.015ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
3V
Power Dissipation Pd:
31W
Transistor Case Style:
PowerPAK ChipFET
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Ortak özelliklere göre gruplandırılmış benzer ürünleri bulun 

Mevzuat ve Çevre

Nem Duyarlılığı Düzeyi
MSL 1 - Unlimited
Menşe Ülke:
China

En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke

RoHS Uyumlu:
Evet
Fiyat Listesi No:
85412900
Ağırlık (kg):
.005