Low

VISHAY  SI2327DS-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -380 mA, -200 V, 1.96 ohm, -6 V, -4.5 V

VISHAY SI2327DS-T1-E3
Technical Data Sheet (81.87KB) EN Tüm Teknik Belgeleri Görüntüleyin

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.

Ürün Genel Bakış

The SI2327DS-T1-E3 is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp circuits in DC-to-DC power supplies.
  • Ultra-low ON-resistance
  • Small size
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Ürün Bilgileri

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-380mA
Drain Source Voltage Vds:
-200V
On Resistance Rds(on):
1.96ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-6V
Threshold Voltage Vgs:
-4.5V
Power Dissipation Pd:
750mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Ortak özelliklere göre gruplandırılmış benzer ürünleri bulun 

Uygulamalar

  • Industrial;
  • Power Management

Mevzuat ve Çevre

Nem Duyarlılığı Düzeyi
MSL 1 - Unlimited
Menşe Ülke:
China

En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke

RoHS Uyumlu:
Evet
Fiyat Listesi No:
85412900
Ağırlık (kg):
.000043