Low

NXP  PMGD8000LN  Dual MOSFET, Dual N Channel, 125 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

NXP PMGD8000LN
Technical Data Sheet (233.80KB) EN Tüm Teknik Belgeleri Görüntüleyin

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.

Ürün Bilgileri

Transistor Polarity:
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id:
125mA
Drain Source Voltage Vds:
30V
On Resistance Rds(on):
8ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
4V
Threshold Voltage Vgs:
1.5V
Power Dissipation Pd:
200mW
Transistor Case Style:
SOT-363
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Ortak özelliklere göre gruplandırılmış benzer ürünleri bulun 

Mevzuat ve Çevre

Nem Duyarlılığı Düzeyi
MSL 1 - Unlimited
Menşe Ülke:
Germany

En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke

RoHS Uyumlu:
Evet
Fiyat Listesi No:
85412900
Ağırlık (kg):
.000006

İlgili Ürünler