Low

INFINEON  IPA086N10N3GXKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.7 V

INFINEON IPA086N10N3GXKSA1
Technical Data Sheet (529.21KB) EN Tüm Teknik Belgeleri Görüntüleyin

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.

Ürün Genel Bakış

The IPA086N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM (Figure of Merit).
  • Excellent switching performance
  • World's lowest RDS (ON)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
  • Environmentally friendly
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
  • Halogen-free, Green device
  • MSL1 rated 2

Ürün Bilgileri

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
45A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2.7V
Power Dissipation Pd:
37.5W
Transistor Case Style:
TO-220FP
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 3 - 168 hours
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Ortak özelliklere göre gruplandırılmış benzer ürünleri bulun 

Uygulamalar

  • Power Management;
  • Audio;
  • Motor Drive & Control;
  • Industrial;
  • Automotive

Diğer Adıyla

IPA086N10N3 G , SP000485984

Mevzuat ve Çevre

Nem Duyarlılığı Düzeyi
MSL 3 - 168 hours
Menşe Ülke:
China

En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke

RoHS Uyumlu:
Evet
Fiyat Listesi No:
85412900
Ağırlık (kg):
.002008